Ausstattung des Mikrotechniklabors

Das Reinraumlabor umfasst eine Fläche von 120 m² und besteht aus zwei Räumen mit je 60m². Im ersten Raum sind Anlagen für Photolithographie, Nassätztechnik und Galvanik-Beschichtung unter Gelblicht untergebracht. Im zweiten Raum sind Geräte zur Vakuumbeschichtung (Aufdampfen und Sputtern), Trockenätztechnik, Aufbau- und Verbindungstechnik sowie der Mess- und Inspektionstechnik aufgestellt.

 

Diener Nano 6"

  • Substratreinigung und Aktivierung
    • Plasma im Barrelreaktor
  • vorhandene Gase
    • Sauerstoff (O2)
    • Stickstoff (N2)
  • RF Leistung
    • 100 W
    • 13,56 MHz

Alcatel Sputteranlage

  • Betriebsarten
    • DC/HF Sputtern mit RF-Bias
    • Vorbehandlung
    • HF-Sputterätzer
  • Beschichtungskammer
    • 4 Kathoden
  • Beschichtungsrate
    • 100 - 1000 nm/min
  • Materialien
    • Al, Cr, Cu, Ni, SiO2
  • Substratgröße
    • 4” Wafer
  • Vakuumvorkammer mit Schleuse

Balzers BAK 600

  • Materialzuführung
    • Elektronenstrahlverdampfer (4 Tiegel)
    • Widerstandsverdampfer
  • Substrattemperatur
    • 90 - 110 °C
  • Materialien
    • Al, Cu, Cr, Ni, Ag, Ti, Al2O3
  • Schmelzpunkt
    • 500°C bis 2000°C
  • Schwingquarz-Schichtdickenkontrolle

SÜSS Spincoater

Delta 80 BM

  • mitdrehende Prozesskammer
  • Drehzahlbereich
    • bis 4000 rpm bei 4’’ Wafer
  • Photolacke
    • SU-8 (EPON-Resin)
    • AZ 9260 (Novolak)
    • AZ 125nXT (Acryl)

LabSpin 6 BM

  • Drehzahlbereich
    • bis 6000 rpm bei 4’’ Wafer

Hotplates

  • Heizschritte
    • Softbake
    • Postbake
    • Hardbake
  • Temperaturbereich
    • bis 195°C
    • programmierbare Rampen: 8 Plätze für 4’’ Wafer
    • feste Temperatur: 2 Plätze für 4’’ Wafer

Karl SÜSS MA56 M

  • Belichtung
    • Kontakt- und Proximity
  • Wellenlänge
    • 350 – 440 nm
  • Intensität
    • 20 mW/cm²
  • Kantenfilter
    • für senkrechte Strukturen
  • Maskenjustierung via Mikroskop

Sonosys Megaschall

  • Ausgangsleistung
    • 50-500 W
  • Frequenz
    • 1 MHz

M-O-T Galvanikanlage

  • Nickelsulfamatbad
    • Galvanoformung
  • Saures Kupferbad
    • dicke Opferschichten
  • Rotationselektrode
    • für 4” Wafer
  • Abscheiderate
    • bis 1 µm/min bei 5 A/dm²
  • Stromquelle
    • bis 10 A
    • Puls-Plating

R3T muegge STP 2020

  • Polymerveraschung
    • Plasma in Remote-Quelle
    • Reaktivradikalstrom am Substrat
    • verascht auch SU-8 und BCB
    • 5 Plätze für 6" Wafer
  • vorhandene Gase
    • Sauerstoff (O2)
    • Tetrafluormethan (CF4)
    • Stickstoff (N2)
  • RF Leistung
    • 3000 W
    • 2,45 GHz

DEKTAK 8 Profiler

  • Anwendung
    • Schichtdickenmessung
    • Höhenprofilmessung
  • Messbereich
    • 10 nm bis 1 mm
  • Stylus force
    • 0,03 mg
  • Auswertung
    • 3D Analyse
    • Charakterisierung von MEMS

Keyence VHX-600

  • Digital-Mikroskop
    • 3CCD-Kamera
  • Auflösung
    • 54 Millionen Pixel
  • Vergrößerung
    • 20-1000 fach
  • Betrachtung
    • aus allen Winkeln möglich
    • 3D-Darstellung
    • Strukturweitenmessung

Motion-Analyzer

  • CCD-Kamera
    • 2048 x 2048 Pixel
    • 14 bit Quantisierung
    • 15 fps, 800 Mbit/s
  • rel. Fehler
    • < 0,2 %
  • Wiederholgenauigkeit
    • < 30 nm
  • Messfeldgröße
    • 10x-Objektiv: 2,4 x 2,4 mm²
    • 5x-Objektiv: 4,7 x 4,7 mm²
    • 2x-Objektiv: 11,7 x 11,7 mm²

Weitere Ausstattung

  • Nassbank für Tauchbadentwicklung mit Quick Dump
  • 2 Nassbänke für Ätzprozesse und Waferreinigung
  • Strukturweiten-Messgerät CD2
  • Trockenschrank mit programmierbarem Temperaturprofil
  • Laborgefäßspülanlage

Kontakt

Technische Universität Darmstadt

Institut für Elektromechanische Konstruktionen

Mikrotechnik

Prof. Dr.-Ing. Helmut F. Schlaak

S3/06 128
Merckstraße 25
64283 Darmstadt

+49 6151 16-23851
+49 6151 16-23852

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